DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 22 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMTH43M8LPSQ-13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB244.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB261.955

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,490 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB48.964THB244.82
50 - 95THB47.986THB239.93
100 - 245THB47.024THB235.12
250 - 995THB46.082THB230.41
1000 +THB45.16THB225.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
246-7567
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMTH43M8LPSQ-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerDI5060-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.005mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.73W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in powerDI5060-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It is rated to +175°C and ideal for high ambient temperature environments. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 40 V and maximum gate to source voltage is ±20 V It offers low on-resistance It has high BVDSS rating for power application It offers low input capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง