DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMT32M5LPSW-13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB165.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB177.075

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB33.098THB165.49
50 - 95THB32.104THB160.52
100 - 245THB30.82THB154.10
250 - 995THB29.278THB146.39
1000 +THB27.52THB137.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
246-7551
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT32M5LPSW-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerDI5060-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.003Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.73W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1mm

Length

6.4mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes a new generation N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in powerDI5060-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. Less than 1.1 mm of packaging size makes it ideal for thin applications.

Maximum drain to source voltage is 30 V Maximum gate to source voltage is ±20 V Thermally efficient package ideal for cooler running applications It offers low input capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง