DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin X2-DFN DMN2451UFB4-7B

RS Stock No.:: 246-7512
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMN2451UFB4-7B
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin X2-DFN DMN2451UFB4-7B

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB165.325

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB176.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

9,375 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 475	THB6.613	THB165.33
500 - 975	THB6.282	THB157.05
1000 - 2475	THB5.654	THB141.35
2500 - 4975	THB4.806	THB120.15
5000 +	THB3.845	THB96.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 246-7512
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMN2451UFB4-7B
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	DMN
	Package Type	X2-DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	700mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	900mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	0.65 mm
	Height	0.4mm
	Length	1.05mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series DMN
	Package Type X2-DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 700mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 900mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 0.65 mm
	Height 0.4mm
	Length 1.05mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - DMN2451UFB4-7B

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN1006-3 packaging and 0.6mm profile makes it ideal for low profile applications . It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V Maximum gate to source voltage is ±12 V It has PCB Footprint of 4mm^2 It offers low gate threshold voltage It provides an ESD protected Gate

DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin X2-DFN DMN2451UFB4-7B

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง