DiodesZetex Type N, Type P-Channel MOSFET, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMHC4035LSD-13
- RS Stock No.:
- 246-7502
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMHC4035LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB197.28
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB211.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,220 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB19.728 | THB197.28 |
| 50 - 90 | THB19.076 | THB190.76 |
| 100 - 240 | THB18.448 | THB184.48 |
| 250 - 990 | THB17.839 | THB178.39 |
| 1000 + | THB17.25 | THB172.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 246-7502
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMHC4035LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.058Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.058Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex makes a new generation complementary MOSFET H-Bridge, that features low on-resistance achievable with low gate drive. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SO-8 packaging. It offers fast switching and low input capacitance. It has working temperature range of -55°C to +150°C.
Maximum drain to source voltage is 40 V and maximum gate to source voltage is ±20 V 2 N-channel and 2 P-channels in a SOIC package It offers low on-resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC4040SSDQ-13
- DiodesZetex Type N 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC4050SSDQ-13
- DiodesZetex Type P 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Type P 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMHC4035LSDQ-13
- DiodesZetex Type N 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Type N 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMHC6070LSD-13
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC