Infineon IRF Type N-Channel MOSFET, 192 A, 75 V, 3-Pin TO-247 IRF300P227
- RS Stock No.:
- 244-2930
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF300P227
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB230.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB246.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 383 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB230.33 |
| 10 - 39 | THB223.66 |
| 40 - 79 | THB216.98 |
| 80 - 119 | THB210.30 |
| 120 + | THB208.31 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-2930
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF300P227
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 192A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | IRF | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 192A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series IRF | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon IRF300P227 qualification report describes the characteristics of the product with respect to quality and reliability. The qualification sample selection was done on production lots which were manufactured and tested on standard production processes and meet the defined requirements. The qualification test results of those products as outlined in this document are based on JEDEC for target applications and may reference existing qualification results of similar products. Such referencing is justified by the structural similarity of the products.
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability
Pb-Free
RoHS Compliant
Halogen-Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IRF Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-247
- Infineon IRF Type P 6.8 A 8-Pin SO-8 IRF9389TRPBF
- Infineon IRF Type P 6.8 A 8-Pin SO-8
- Infineon IRF Type P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon IRF Type P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7416TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220 IRF100B201
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-263
