Infineon IMW Type N-Channel MOSFET, 52 A, 75 V P, 3-Pin TO-247 IMW120R090M1HXKSA1
- RS Stock No.:
- 244-2924
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMW120R090M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB214.59
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB229.61
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 441 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB214.59 |
| 10 - 39 | THB212.38 |
| 40 - 79 | THB210.17 |
| 80 - 119 | THB207.96 |
| 120 + | THB205.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-2924
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMW120R090M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 52A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | IMW | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Channel Mode | P | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 52A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series IMW | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Channel Mode P | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IMW120R090M1HXKSA1 MOSFET in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.
Very low switching losses
Threshold-free on state characteristic
Wide gate-source voltage range
Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive
Fully controllable dV/dt
Robust body diode for hard commutation
Temperature independent turn-off switching losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V P, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R030M1HXKSA1
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R014M1HXKSA1
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R040M1HXKSA1
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R020M1HXKSA1
- Infineon IMW Type N-Channel MOSFET 75 V N, 3-Pin TO-247 IMW120R007M1HXKSA1