Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR540ZTRL
- RS Stock No.:
- 244-2881
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR540ZTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB171.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB183.986
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,766 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB85.975 | THB171.95 |
| 10 - 98 | THB81.675 | THB163.35 |
| 100 - 248 | THB77.59 | THB155.18 |
| 250 - 498 | THB73.725 | THB147.45 |
| 500 + | THB70.065 | THB140.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-2881
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR540ZTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | AUIRFS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series AUIRFS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon AUIRFR540ZTRL specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficientand reliable device for use in Automotive applications and a widevariety of other applications.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance
175°C operating temperature
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Lead free, RoHS compliant
Automotive qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD25CN10N G Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD25CN10N G Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD25CN10NGATMA1
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 AUIRFS4310ZTRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-252
