Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 24 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC24N10S5L300ATMA1

RS Stock No.:: 243-9338
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUC24N10S5L300ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 24 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC24N10S5L300ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB185.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB198.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,355 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB37.028	THB185.14
10 - 95	THB34.956	THB174.78
100 - 245	THB32.704	THB163.52
250 - 495	THB30.632	THB153.16
500 +	THB28.38	THB141.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 243-9338
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUC24N10S5L300ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SuperSO8 5 x 6
	Series	IAUC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SuperSO8 5 x 6
	Series IAUC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IAUC24N10S5L300ATMA1

Infineon IAUC Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 24A Maximum Continuous Drain Current - IAUC24N10S5L300ATMA1

This MOSFET is a high-voltage N-channel switch intended for power-management roles in Compact surface-mounted assemblies. It operates across an extended temperature range and is suited to applications requiring low on-resistance and significant continuous drain current capacity within surface-mount packages.

Features and Benefits:

• 1.4mΩ RDS(on) delivers reduced conduction losses under load
• 24A continuous drain current supports sustained power delivery
• 100V drain-source rating enables high-voltage switching tasks
• 81W power dissipation manages thermal load in confined layouts
• 80nC typical gate charge enables controlled switching for converters
• 20V gate-source rating permits robust gate drive headroom

Applications

• Suitable for DC-DC converter switching stages in power rails
• Ideal for automotive power control modules requiring AEC‑Q101
• Used with high-voltage motor drivers and boost circuits
• Can be used for Compact surface-mount power-supply designs
• Suitable for high-current load switching in embedded systems

What thermal extremes can it tolerate in operation?

It is specified to operate from −55°C up to 175°C.

What mounting form should designers plan for?

It is supplied in a SuperSO8 5x6 surface-mount package for PCB assembly.

Which channel polarity and mode does it employ?

It is an N-channel device operated in enhancement mode.

Is it compliant with common environmental directives?

It meets RoHS requirements.

What forward voltage characteristic might impact low-voltage designs?

The typical forward voltage is 1.1V, which influences conduction-drop calculations.