Infineon BSC N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC059N04LS6ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB150.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB160.51

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,130 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB30.002THB150.01
10 - 95THB28.546THB142.73
100 - 245THB27.09THB135.45
250 - 495THB25.634THB128.17
500 +THB24.178THB120.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
243-9329
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC059N04LS6ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

381A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Series

BSC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon BSC Series MOSFET, 81W Maximum Power Dissipation, 40V Maximum Drain Source Voltage - BSC059N04LS6ATMA1


This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for high-current switching and power conversion in demanding thermal environments. It supports operation across a wide temperature range and is intended for use where low conduction losses and Rapid gate control are required.

Features and Benefits:


• 40 V drain capability enables medium-voltage switching applications
• 381 A continuous current supports heavy-current loads
• 0.7 mΩ RDS(on) reduces conduction losses at high currents
• 81 W power dissipation allows sustained thermal loading
• 80 nC typical gate charge enables responsive switching transitions
• 20 V gate rating permits substantial gate-drive amplitude

Applications


• Suitable for high-current DC-DC converters
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with motor drivers requiring high continuous current
• Can be used for battery protection and power distribution
• Suitable for Compact surface-mount power modules

What package type is used for Compact PCB assembly?


It is supplied in a SuperSO8 5x6 mm package suitable for surface mounting.

What thermal range can it withstand during operation?


The device operates from −55 °C up to 175 °C for wide-temperature deployments.

What gate-drive considerations should be observed?


The maximum gate-to-source rating is 20 V and typical gate charge is 80 nC, so drive circuits must source sufficient charge for the desired switching speed.

How does it comply with environmental restrictions?


It meets RoHS requirements for restricted-substance compliance.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง