Infineon BSC N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0906NSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB232.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB248.95

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,360 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 10THB23.266THB232.66
20 - 90THB22.125THB221.25
100 - 240THB20.987THB209.87
250 - 490THB19.849THB198.49
500 +THB18.708THB187.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
243-9310
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC0906NSATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

381A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Series

BSC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon BSC Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 381A Maximum Continuous Drain Current - BSC0906NSATMA1


This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed to switch and control high currents in power electronic circuits. It operates across a broad temperature range and is intended for applications requiring substantial continuous drain current and elevated power handling in a Compact package.

Features and Benefits:


• 381 A continuous drain current enabling high-current switching
• 81 W power dissipation for sustained thermal load handling
• 0.7 mΩ RDS(on) minimising conduction losses during operation
• 40 V drain-source rating supporting medium-voltage systems
• 80 nC gate charge facilitating predictable switching control

Applications


• Suitable for high-current DC-DC converter stages
• Used for synchronous rectification in power modules
• Ideal for motor drive output stages requiring large currents
• Can be used for server power distribution and VRM designs
• Useful in Compact surface-mount power assemblies

What gate voltage range can be applied safely?


Gate drive must not exceed 20 V between gate and source to avoid damaging the gate oxide.

What ambient temperature extremes can it tolerate in operation?


It is specified to operate from −55 °C up to +150 °C, allowing use in wide-temperature environments.

How does the package affect mounting and the thermal path?


The device is supplied in a SuperSO8 package sized 5 x 6 mm for surface mounting, offering a short conduction path to PCB thermal planes.

What is the forward voltage relevant to conduction scenarios?


The forward voltage is 1 V, relevant when assessing voltage drop in rectification or low-side conduction contexts.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง