Infineon IRFH Type N-Channel MOSFET, 11 A, 40 V, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 243-9302
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL60HS118
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB58,632.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB62,736.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB14.658 | THB58,632.00 |
| 8000 - 8000 | THB14.218 | THB56,872.00 |
| 12000 + | THB13.65 | THB54,600.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 243-9302
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL60HS118
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | IRFH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PQFN | ||
Series IRFH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon IRL60HS118 N-Channel Power MOSFET available in three different voltage classes (60 V, 80 V and 100 V), Infineon’s new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving.
Higher power density designs
Higher switching frequency
Uses OptiMOSTM5 Chip
Reduced parts count wherever 5V supplies are available
Driven directly from microcontrollers (slow switching)
System cost reductions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IRFH Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN IRL60HS118
- Infineon IRFH Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN
- Infineon IRFH Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN IRL100HS121
- Infineon IRFH Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN
- Infineon IRFH Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN IRFH8324TRPBF
- Infineon IRFH Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PQFN IRFH8318TRPBF
- Infineon IQE Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN