Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMXTSA1
- RS Stock No.:
- 243-9273
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISP25DP06LMXTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB120.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB128.635
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 805 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB24.044 | THB120.22 |
| 10 - 95 | THB22.828 | THB114.14 |
| 100 - 245 | THB21.674 | THB108.37 |
| 250 - 495 | THB20.65 | THB103.25 |
| 500 + | THB19.558 | THB97.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 243-9273
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISP25DP06LMXTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | ISP | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series ISP | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon P-Channel small signal transistor have Pb-free lead plating. The drain current and drain-source voltage of MOSFET is -1.9 A and -60V respectively. It has very low resistance value. The operating temperature is ranges from -55 °C to 150 °C.
Surface Mount technology
Logic level availability
Easy interface to Microcontroller Unit (MCU)
Fast switching
avalanche ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06NMXTSA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP16DP10LMXTSA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMSATMA1