Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 242-5824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120N10S405ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB66,323.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB70,966.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB66.323 | THB66,323.00 |
| 2000 - 2000 | THB64.333 | THB64,333.00 |
| 3000 + | THB61.76 | THB61,760.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 242-5824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120N10S405ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 273A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 273A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET offers D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements.
N-channel - Normal Level - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N10S405ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R060C7ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V P, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263 IPB017N10N5ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB110N20N3LFATMA1