Infineon IPA N-Channel MOSFET, 84 A, 40 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R280P7XKSA1

RS Stock No.:: 242-0988
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPA80R280P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPA N-Channel MOSFET, 84 A, 40 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R280P7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB133.37

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB142.71

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB133.37
10 - 99	THB126.68
100 - 249	THB120.39
250 - 499	THB114.50
500 +	THB108.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 242-0988
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPA80R280P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	84A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-220
	Series	IPA
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.9mΩ
	Channel Mode	P
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 84A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-220
	Series IPA
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ
	Channel Mode P
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPA80R280P7XKSA1

Infineon IPA Series MOSFET, 81W Maximum Power Dissipation, 84A Maximum Continuous Drain Current - IPA80R280P7XKSA1

This MOSFET is a three‑pin N‑channel transistor designed for power switching in surface‑mounted applications. It is intended to handle high continuous currents while operating across a wide temperature range, making it suitable for demanding electronic systems where efficient conduction and thermal endurance are required.

Features and Benefits:

• Very low on‑resistance of 2.9mΩ reduces conduction losses
• Continuous drain current of 84A supports high‑current operation
• Drain‑source voltage rating of 40V permits mid‑voltage power stages
• Power dissipation of 81W enables sustained thermal load handling
• Gate charge of 80nC allows predictable switching energy management
• Forward voltage of 0.9V minimises voltage drop during conduction

Applications

• Suitable for power supplies requiring low Rds(on) transistors
• Ideal for motor drive stages with high current demands
• Used for DC-DC converters in industrial control systems
• Can be used for battery management and power distribution
• Appropriate for heat‑intensive environments with wide temperature range

What gate voltage limits should I observe for safe operation?

The component tolerates gate voltages up to 20V relative to source.

What ambient temperature extremes can it withstand during use?

It is specified to operate from −55°C up to +150°C.

How does its package influence mounting options?

It is supplied in a TO‑220 package configured for surface mounting to a heatsink or PCB.

What type of conduction channel does it employ?

It uses an N‑type channel operated in P‑mode for switching applications.