Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin TSDSON-8 FL
- RS Stock No.:
- 241-9882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ010NE2LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB262,465.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB280,840.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB52.493 | THB262,465.00 |
| 10000 - 10000 | THB51.082 | THB255,410.00 |
| 15000 + | THB49.671 | THB248,355.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ010NE2LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 212A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | BSZ | |
| Package Type | TSDSON-8 FL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 212A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series BSZ | ||
Package Type TSDSON-8 FL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 Power-Transistor is a N channel MOSFET which is optimized for high performance buck converters. It has superior thermal resistance.
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Very low on-resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ010NE2LS5ATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ011NE2LS5IATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TSDSON-8 FL BSZ0500NSIATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 250 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 25 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 25 V N, 8-Pin TSDSON