Infineon BSC N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC070N10LS5ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB204,185.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB218,480.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB40.837THB204,185.00
10000 - 10000THB39.702THB198,510.00
15000 +THB38.568THB192,840.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
241-9878
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC070N10LS5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

381A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

BSC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon BSC Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 381A Maximum Continuous Drain Current - BSC070N10LS5ATMA1


This MOSFET is a high-current N-channel transistor designed for surface-mounted power conversion and switching tasks in demanding thermal environments. It operates across a wide temperature range and is intended for applications where low conduction loss, fast switching control and substantial continuous current handling are required.

Features and Benefits:


• Maximum continuous drain current 381A enables heavy-load switching
• Very low Rds(on) 0.7mΩ reduces conduction losses
• Maximum power dissipation 81W supports sustained power handling
• Forward voltage Vf 1.1V minimises voltage drop during conduction
• Typical gate charge Qg 80nC balances drive energy and switching speed
• Maximum gate-source voltage 20V permits robust gate drive margins

Applications


• Suitable for high-current motor drive stages
• Ideal for power supply synchronous rectification
• Used with battery management in high-discharge systems
• Can be used for DC-DC conversion in server power rails
• Suitable for high-power class-D audio output stages

What package and mounting style does it use?


It is supplied in an 8-pin TDSON package intended for surface mounting.

What voltage can the device withstand between drain and source?


The device is rated to a maximum drain-source voltage of 40V.

What is the expected ambient temperature capability?


It is specified to operate from -55°C up to +150°C.

Is this intended for automotive standard compliance?


The device is not specified as meeting automotive-grade standards.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง