Microchip MSC080SMA120B4 Type N-Channel MOSFET, 140 A, 12 V, 4-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 241-9269P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC080SMA120B4
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 5 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,311.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,472.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 5 - 9 | THB462.20 |
| 10 - 99 | THB453.05 |
| 100 + | THB433.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 241-9269P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC080SMA120B4
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 140A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Series | MSC080SMA120B4 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 2 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 140A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Series MSC080SMA120B4 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 2 V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Low capacitances and low gate charge
Fast switching speed due to low internal gate resistance
Stable operation at high junction temperature TJ(max) equal to 175 °C
Fast and reliable body diode
Superior avalanche ruggedness
RoHS compliant
