Microchip MSC040SMA120B N-Channel MOSFET, 46 A, 1.2 kV TO-247 MSC040SMA120B
- RS Stock No.:
- 241-9265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC040SMA120B
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 241-9265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MSC040SMA120B
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | MSC040SMA120B | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 2V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 137nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Series MSC040SMA120B | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 2V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 137nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Low capacitances and low gate charge
Fast switching speed due to low internal gate resistance
Stable operation at high junction temperature TJ(max) equal to 175 °C
Fast and reliable body diode
Superior avalanche ruggedness
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip MSC040SMA120B N-Channel MOSFET 1.2 kV TO-247
- Microchip MSC750SMA170B N-Channel MOSFET 1.7 kV TO-247 MSC750SMA170B
- Microchip mSiC N-Channel MOSFET 700 V, 4-Pin TO-247-4 MSC060SMA070B4N
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L060N090SC1
- Vishay IRFP260 N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP260PBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin Super-247 SiHFPS40N50L-GE3
- onsemi NTHL N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL065N65S3HF
- onsemi SiC Power N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
