Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 800 V, 5-Pin ThinPAK 5x6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB106,045.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB113,470.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB21.209THB106,045.00
10000 - 10000THB20.892THB104,460.00
15000 +THB20.576THB102,880.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
240-8558
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPLK80R900P7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

ThinPAK 5x6

Series

IPL

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.42mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 800V CoolMOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low-power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, audio SMPS, AUX and industrial power. It offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Best-in class FOM RDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss, and Coss

Best-in-class DPAK RDS(on)

Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V

Integrated Zener Diode ESD protection

Fully optimized portfolio

Low EMI

The ThinPAK 5x6 package is characterized by a very small footprint of 5x6 mm² and a very low profile with a height of 1 mm and together with its benchmark low parasitic, these features lead to significantly smaller form factors and help to boost power density. This combination makes CoolMOS™ P7 in ThinPAK 5x6 a perfect fit for its target applications.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง