Infineon ISC Type N-Channel MOSFET, 330 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Stock No.:
- 240-6374
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC010N06NM5
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB658,750.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB704,850.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB131.75 | THB658,750.00 |
| 10000 - 10000 | THB127.403 | THB637,015.00 |
| 15000 + | THB123.198 | THB615,990.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-6374
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISC010N06NM5
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 330A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | ISC | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 171W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 330A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series ISC | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 171W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 Single N-Channel Power MOSFET 60 V, 1.05 mΩ, 330 A in a SSO8 package. Infineon’s OptiMOS™ 5 Power MOSFET 60V in SuperSO8 package ISC010N06NM5 offers low on-state resistance RDS on at 25˚C and 175˚C, and high continuous current up to 330 A. Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance. Low reverse recovery charge Qrr improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
Optimized for synchronous rectification
100% avalanche tested
Superior thermal resistance
N-channel
175°Crated
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC010N06NM5
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC019N03L5SATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC037N03L5ISATMA1
- Infineon ISC Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC022N10NM6ATMA1
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6