STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP150N10F7AG
- RS Stock No.:
- 235-5446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP150N10F7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB6,026.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,448.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | THB120.536 | THB6,026.80 |
| 150 - 200 | THB114.503 | THB5,725.15 |
| 250 + | THB108.785 | THB5,439.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-5446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP150N10F7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.2mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.2mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
175°C junction temperature
Standard level VGS(TH)
Designed for automotive application
100% avalanche rated
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220 STP150N10F7AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP240N10F7
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH150N10F7-2
- STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-247 STW120NF10
- STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP110N10F7