Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 990 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP20EP10LMXTSA1

RS Stock No.:: 235-4879
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISP20EP10LMXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 990 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP20EP10LMXTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB90.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB97.23

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB9.087	THB90.87
20 - 90	THB8.902	THB89.02
100 - 240	THB8.73	THB87.30
250 - 490	THB8.559	THB85.59
500 +	THB8.388	THB83.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 235-4879
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISP20EP10LMXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	990mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	ISP
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	4.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	6.7mm
	Length	7.3mm
	Width	1.8 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 990mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series ISP
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 4.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 6.7mm
	Length 7.3mm
	Width 1.8 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - ISP20EP10LMXTSA1

The Infineon OptiMOS™ P-Channel MOSFETs 100V in SOT-223 package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy Interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg. It is used in Battery management, Industrial automation.

Ideal for high and low switching frequency

Avalanche ruggedness

Industry standard footprint surface mount package

Robust, reliable performance

Increased security of supply

Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 990 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP20EP10LMXTSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง