ROHM Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8KC6TB1
- RS Stock No.:
- 235-2812
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SH8KC6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB275.03
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB294.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB27.503 | THB275.03 |
| 50 - 90 | THB26.595 | THB265.95 |
| 100 - 240 | THB25.717 | THB257.17 |
| 250 - 990 | THB24.869 | THB248.69 |
| 1000 + | THB24.048 | THB240.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2812
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SH8KC6TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.75 mm | |
| Length | 4.05mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.75 mm | ||
Length 4.05mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM low on-resistance MOSFET Ideal for switching applications. This product includes two 60V MOSFETs in a small surface mount package.
Pb-free plating
Halogen Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RRS065 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP
- ROHM RRS065 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP RSS065N06HZGTB
- ROHM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8KC7TB1
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4946BEY-T1-E3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- ROHM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8KB6TB1
