ROHM Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 600 V Enhancement, 8-Pin SOP R6000ENHTB1
- RS Stock No.:
- 235-2676
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6000ENHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB220.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB236.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 80 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB22.08 | THB220.80 |
| 50 - 90 | THB20.977 | THB209.77 |
| 100 - 240 | THB18.878 | THB188.78 |
| 250 - 990 | THB16.047 | THB160.47 |
| 1000 + | THB12.837 | THB128.37 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2676
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6000ENHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 500mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.2mm | |
| Width | 1.75 mm | |
| Height | 6.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 500mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.2mm | ||
Width 1.75 mm | ||
Height 6.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin SOP R6000ENHTB1
- Toshiba 2SA2142(TE16L1 -500 mA 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics STN9360 PNP Transistor -600 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
- ROHM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8KB6TB1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8KC6TB1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8KB7TB1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8KC7TB1
- ROHM Type N 7 A 8-Pin SOP SH8MC5TB1
