ROHM Type N-Channel MOSFET, 14 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2280KEGC11
- RS Stock No.:
- 235-2798
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT2280KEGC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*
THB133,580.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB142,931.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | THB296.846 | THB133,580.70 |
| 900 + | THB287.94 | THB129,573.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2798
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT2280KEGC11
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 108W | |
| Forward Voltage Vf | 4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 108W | ||
Forward Voltage Vf 4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating
RoHS compliant