ROHM Type N-Channel MOSFET, 39 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3P300BHTB1
- RS Stock No.:
- 235-2775P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3P300BHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB3,240.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,467.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 95 | THB64.80 |
| 100 - 245 | THB56.576 |
| 250 - 995 | THB55.078 |
| 1000 + | THB49.848 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2775P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3P300BHTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 39A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 0.85mm | |
| Height | 3.4mm | |
| Length | 3.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 39A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 0.85mm | ||
Height 3.4mm | ||
Length 3.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
