ROHM Type N-Channel MOSFET, 70 A, 600 V Enhancement, 3-Pin R6070JNZ4C13
- RS Stock No.:
- 235-2679
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6070JNZ4C13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB366.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB392.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 17 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB366.45 |
| 25 - 49 | THB336.87 |
| 50 - 99 | THB323.33 |
| 100 - 249 | THB316.72 |
| 250 + | THB284.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2679
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6070JNZ4C13
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 58mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 165nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 770W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.24mm | |
| Width | 2.71 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 58mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 165nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 770W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.24mm | ||
Width 2.71 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM PrestoMOS series power MOSFET with fast reverse recovery time , suitable for the switching applications. It increases design flexibility while maintaining the industrys fastest reverse recovery time optimized for EV charging stations and motor drive in home appliances such as refrigerators and Air conditioners.
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin R6070JNZ4C13
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R037CM8XKSA1
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG70N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 SCT3030ARHRC15
- ROHM Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 SCT3030ARC15
- DiodesZetex BSS127S Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127S-7
