ROHM QH8KC6 Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KC6TCR
- RS Stock No.:
- 235-2670P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- QH8KC6TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,611.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,724.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 90 | THB32.238 |
| 100 - 240 | THB26.12 |
| 250 - 990 | THB25.294 |
| 1000 + | THB24.807 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-2670P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- QH8KC6TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TSMT-8 | |
| Series | QH8KC6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.1mm | |
| Height | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TSMT-8 | ||
Series QH8KC6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.1mm | ||
Height 2.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM dual N channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen Free