Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 RJK0656DPB-00#J5
- RS Stock No.:
- 234-7157P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJK0656DPB-00#J5
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB4,302.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,603.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 95 | THB86.044 |
| 100 - 245 | THB77.44 |
| 250 - 995 | THB65.824 |
| 1000 + | THB52.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 234-7157P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RJK0656DPB-00#J5
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 60 V. It is capable of 4.5 V gate drive.
High speed switching
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
Pb-free
Halogen-free