Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 114 A, 150 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC074N15NS5ATMA1

RS Stock No.:: 234-6989
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC074N15NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 114 A, 150 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC074N15NS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB371.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB397.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,926 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB185.80	THB371.60
10 - 98	THB182.055	THB364.11
100 - 248	THB178.505	THB357.01
250 - 498	THB174.955	THB349.91
500 +	THB171.405	THB342.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 234-6989
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC074N15NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	114A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	BSC
	Package Type	SuperSO8 5 x 6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.2mΩ
	Channel Mode	N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Maximum Power Dissipation Pd	46W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Width	6.1 mm
	Height	1.2mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 114A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series BSC
	Package Type SuperSO8 5 x 6
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.2mΩ
	Channel Mode N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Maximum Power Dissipation Pd 46W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Width 6.1 mm
	Height 1.2mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

The Infineon OptiMOS™ N- channel MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance. The low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort. It has 114A maximum continuous drain current and 150V maximum drain source voltage. It is Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.

Lowest RDS(on) enables highest power density and efficiency

Higher operating temperature rating to 175°C for increased reliability

Low RthJC for excellent thermal behaviour

Lower reverse recovery charge (Qrr)

Very low on-resistance RDS(on)

Very low reverse recovery charge(Qrr)

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 114 A, 150 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC074N15NS5ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง