Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET, 33 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R080M1XKSA1
- RS Stock No.:
- 233-3491
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMW120R080M1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB520.03
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB556.43
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 46 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB520.03 |
| 10 - 49 | THB509.69 |
| 50 - 99 | THB499.35 |
| 100 - 149 | THB489.40 |
| 150 + | THB479.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-3491
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMW120R080M1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 5.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 21.5mm | |
| Length | 16.3mm | |
| Height | 5.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 5.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 21.5mm | ||
Length 16.3mm | ||
Height 5.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolSiC MOSFETs for Automotive family has been developed for current and future on board charger and DC-DC applications in hybrid and electric vehicles. It has 33 A drain current.
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Cooling effort reduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R080M1XKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R035M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R060M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R020M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R1K0M1XKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R450M1XKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 1.7 kV Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R650M1XKSA1