Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 233-3488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*
THB185,850.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB198,859.44
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | THB774.375 | THB185,850.00 |
| 480 - 480 | THB735.656 | THB176,557.44 |
| 720 + | THB698.872 | THB167,729.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-3488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | CoolSiC | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Forward Voltage Vf | 5.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.3mm | |
| Width | 21.5 mm | |
| Length | 16.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series CoolSiC | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Forward Voltage Vf 5.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.3mm | ||
Width 21.5 mm | ||
Length 16.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolSiC MOSFETs for Automotive family has been developed for current and future on board charger and DC-DC applications in hybrid and electric vehicles. It has 36 A drain current.
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Cooling effort reduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R035M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R080M1XKSA1
- Infineon IMW1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW120R060M1HXKSA1