onsemi NTMC0 2 Type P-Channel MOSFET, 4.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 230-9091
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMC083NP10M5L
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB66,625.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71,300.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 5000 | THB26.65 | THB66,625.00 |
| 7500 + | THB25.77 | THB64,425.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 230-9091
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMC083NP10M5L
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | NTMC0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 83mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOIC | ||
Series NTMC0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 83mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor dual n-channel and P- channel MOSFET which has drain to source voltage of 100 V. It is typically used synchronous rectification and DC-DC conversion.
Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design
Low conduction loss
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Standard footprint
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
The Part is Not ESD Protected
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMC0 2 Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMC083NP10M5L
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 4.5 A 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS3992
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 4.5 A 8-Pin SOIC FDS4559
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMP6110SSS-13
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC