onsemi SUPERFET V N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 230-9089P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL099N60S5
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 50 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,484.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,658.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 274 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 10 - 49 | THB248.48 | - |
| 50 - 99 | THB242.28 | 2% |
| 100 - 249 | THB236.24 | 4% |
| 250 + | THB230.33 | 7% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 230-9089P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL099N60S5
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SUPERFET V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 184W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Width | 4.82mm | |
| Height | 41.07mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SUPERFET V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 184W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Width 4.82mm | ||
Height 41.07mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor series SUPERFET V MOSFET is the fifth generation high voltage super−junction (SJ) MOSFET family from ON Semiconductor. SUPERFET V delivers best−in−class FOMs (RDS(ON)·QG and RDS(ON)·EOSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600 V SUPERET V series provides design benefits through reduced conduction and switching losses, while supporting extreme MOSFET dVDS/dt ratings at 120 V/ns and high body diode dVDS/dt ratings at 50 V/ns. Consequently, the SUPERFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. It helps manage EMI issues and allows for easier design implementation with excellent system efficiency.
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg= 48 nC)
Low switching loss
Low Time Related Output Capacitance (Typ. Coss(tr.)= 642 pF)
Low switching loss
Optimized Capacitance
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
650 V @ TJ = 150°C
Typ. RDS(on) = 79.2 m Ω
100% Avalanche Tested
RoHS Compliant
Internal Gate Resistance: 6.9 Ω