onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin H-PSOF NTBL082N65S3HF
- RS Stock No.:
- 230-9083
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL082N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB274.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB293.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB274.02 |
| 10 - 99 | THB267.16 |
| 100 - 249 | THB260.48 |
| 250 - 499 | THB253.98 |
| 500 + | THB247.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 230-9083
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBL082N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SUPERFET III | |
| Package Type | H-PSOF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.2mm | |
| Height | 13.28mm | |
| Standards/Approvals | Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | |
| Width | 2.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SUPERFET III | ||
Package Type H-PSOF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.2mm | ||
Height 13.28mm | ||
Standards/Approvals Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | ||
Width 2.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor series SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency.
High power density
Kelvin Source Configuration
Low gate noise and switching loss
Optimized Capacitance
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
High reliability in humid ambient condition
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin H-PSOF
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4LN040N65S3H
- onsemi NTBL050N65S Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF
- onsemi NTBL050N65S Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin H-PSOF NTBL050N65S3H
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB125N65S3
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FCP165N65S3