onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 62 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4LN040N65S3H

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB454.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB486.19

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 430 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB454.38
10 - 49THB443.01
50 - 99THB431.94
100 - 249THB421.15
250 +THB410.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
230-9085
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTH4LN040N65S3H
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

62A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SUPERFET III

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

132nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

379W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.2mm

Width

2.4 mm

Height

13.28mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor series SUPERFET III MOSFET is new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET FAST series helps minimize various power systems and improve system efficiency.

100% Avalanche Tested

RoHS Compliant

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Internal Gate Resistance: 0.7 Ω

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 132 nC)

700 V @ TJ = 150 oC

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง