onsemi NTB01 N-Channel MOSFET, 75.4 A, 150 V Enhancement, 4-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 230-9079P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTB011N15MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,760.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,883.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 7,164 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 98 | THB176.04 |
| 100 - 248 | THB171.645 |
| 250 - 498 | THB167.355 |
| 500 + | THB163.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 230-9079P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTB011N15MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NTB01 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136.4W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 15.88mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NTB01 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136.4W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.67mm | ||
Width 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 15.88mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor MOSFET - N-channel shielded gate power trench MOSFET which has drain to source voltage of 150 V.
Optimized Switching performance
Max RDS(on) = 10.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 75.4 A
Industry’s Lowest Qrr and softest Body-Diode for superior low noise switching
50% Lower Qrr than other MOSFET Suppliers
High efficiency with lower switching spike and EMI
Lowers Switching Noise/EMI
Improved switching FOM particularly Qgd
100% UIL Tested
No need or less snubber