STMicroelectronics SCTW N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 230-0094P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA60N120G2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 230-0094P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA60N120G2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCTW | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 388W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCTW | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 388W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Height 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency