onsemi N-Channel MOSFET, 165 A, 150 V N, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 229-6505P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMTS4D3N15MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB2,547.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,725.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,629 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 99 | THB254.72 |
| 100 - 249 | THB246.86 |
| 250 - 499 | THB241.60 |
| 500 + | THB236.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6505P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMTS4D3N15MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 165A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.45mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 292W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.42mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 165A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.45mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 292W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.42mm | ||
Length 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced optical inspection. It is used in reverser battery protection, switching power supplies and power switches.
Compact design
Minimize conduction losses
Minimize driver losses
Enhanced optical inspection
