onsemi Type N-Channel MOSFET, 175 A, 150 V N, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 229-6485P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMTS4D3N15MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB2,929.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,134.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 214 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 98 | THB292.935 |
| 100 - 248 | THB283.87 |
| 250 - 498 | THB277.825 |
| 500 + | THB271.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6485P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMTS4D3N15MC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 175A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 293W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 8.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 175A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 293W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8.1mm | ||
Height 8.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Minimize conduction losses
High peak current and low parasitic inductance
Offers a wider design margin for thermally challenged applications
Reduces switching spike