onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V N, 8-Pin TDFN
- RS Stock No.:
- 229-6476
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMT095N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB481,212.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB514,896.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | THB160.404 | THB481,212.00 |
| 9000 - 12000 | THB157.196 | THB471,588.00 |
| 15000 + | THB154.052 | THB462,156.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6476
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMT095N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SUPERFET III | |
| Package Type | TDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 8.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SUPERFET III | ||
Package Type TDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8.1mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 8.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Low effective output capacitance
100% avalanche tested
Higher system reliability at low temperature operation
Pb−free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN NTMT095N65S3H
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN NTMT190N65S3H
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 8-Pin TDFN NTMT125N65S3H
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220 NTPF095N65S3H
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-252