onsemi SiC Power N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V N, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
229-6460P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTH4L045N065SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SiC Power

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

50mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

4.4V

Maximum Power Dissipation Pd

187W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

15.8mm

Height

22.74mm

Width

5.2mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.

Highest efficiency

Faster operation frequency

Increased power density

Reduced EMI

Reduced system size