onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V N, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 229-6453P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD360N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,024.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,096.24
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 14,855 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 95 | THB102.452 |
| 100 - 245 | THB99.282 |
| 250 - 495 | THB97.174 |
| 500 + | THB95.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6453P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD360N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SUPERFET III | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Width | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SUPERFET III | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 6.22mm | ||
Width 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III FAST MOSFET series helps minimize various power systems and improve system efficiency.
Features
• 700 V @ TJ = 150°C
• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 17.5 nC)
• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 180 pF)
• Fast switching performance with robust body diode
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant
• Typ. RDS(on) = 296 m
• Internal Gate Resistance: 0.9