onsemi UniFET II N-Channel MOSFET, 2 A, 500 V N, 3-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 229-6327P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDT4N50NZU
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB690.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB738.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,680 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 90 | THB34.524 |
| 100 - 240 | THB33.456 |
| 250 - 490 | THB32.745 |
| 500 + | THB32.034 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6327P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDT4N50NZU
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | UniFET II | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series UniFET II | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction, flat panel display, TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb−free
Halogen free
RoHS compliant