Infineon IPC N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPC50N04S55R8ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB427.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB457.19

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
15 - 15THB28.485THB427.28
30 - 75THB27.061THB405.92
90 - 225THB25.707THB385.61
240 - 465THB24.423THB366.35
480 +THB23.201THB348.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
229-1830
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPC50N04S55R8ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPC

Package Type

SuperSO

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.25mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

5.58mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon IPC Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 50A Maximum Continuous Drain Current - IPC50N04S55R8ATMA1


This MOSFET is a surface-mount power transistor designed for switching and control duties in demanding electronic systems. It operates across an extended temperature range suitable for harsh environments and provides a low on-resistance N-channel enhancement device for efficient current delivery in Compact assemblies.

Features and Benefits:


• Low Rds(on) 5.8mΩ reduces conduction losses and improves efficiency
• 40V Vds enables moderate-voltage power switching capability
• 50A continuous drain current supports high-current applications
• 42W power dissipation allows sustained thermal load handling
• 13nC typical gate charge yields Faster switching with lower drive energy
• 20V maximum gate tolerance permits robust gate-drive margins

Applications


• Suitable for automotive power-distribution modules
• Ideal for DC-DC converter output stages
• Used with motor drivers requiring high continuous current
• Can be used for high-current load switching in control units
• Used for thermally stressed electronics operating at elevated temperatures

What temperature range can it reliably operate within?


It functions from −55°C up to 175°C to accommodate wide thermal environments.

What packaging and mounting format does it employ?


It is supplied in a Compact SuperSO package intended for surface mounting.

How many pins are available for PCB integration?


The device uses an 8‑pin configuration for connection and thermal paths.

What channel conduction type does it use and how does it operate?


It is an N‑channel device operating in enhancement mode requiring a positive gate drive.

Is this device suitable for automotive qualification requirements?


It complies with AEC‑Q101 automotive standardisation for component selection.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง