Infineon IPC Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPC50N04S55R8ATMA1

RS Stock No.:: 229-1830
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPC50N04S55R8ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPC Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPC50N04S55R8ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB343.635

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB367.695

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 39,960 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 15	THB22.909	THB343.64
30 - 75	THB21.763	THB326.45
90 - 225	THB20.675	THB310.13
240 - 465	THB19.641	THB294.62
480 +	THB18.659	THB279.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 229-1830
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPC50N04S55R8ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SuperSO
	Series	IPC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5.58 mm
	Length	5.25mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SuperSO
	Series IPC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5.58 mm
	Length 5.25mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPC50N04S55R8ATMA1

40V, N-Ch, 0.9 mΩ max, Automotive MOSFET, PQNF, OptiMOS™-6

Infineon introduces its latest OptiMOS™6 40V power MOS technology in the 5x6mm² SS08 leadless package with highest quality level and robustness for automotive applications. A portfolio of 16 products (RDSon_max from 0.8mΩ to 4.4mΩ address the whole applications range from low-power e.g. Body applications to high-power e.g. EPS) which enables the the customer to find the best product fit in the their applications.

All of this enables the Best-in-Class product FOM (RDSon x Qg) and performance on the market. The new SS08 product offers 120A continuous current ratings, which is >25% higher than the standard DPAK at almost half of its footprint area.

Additionally, the new generation of the SS08 package enables superior switching performance and EMI behavior due to very low package inductance (≈4x lower package inductivity vs traditional packages e.g. DPAK, D²PAK) by using the new copper-clip intercontact technology.

Summary of Features

•OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

•N-channel - Enhancement mode - Normal Level

•AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green Product (RoHS compliant)

•100% Avalanche tested

Infineon IPC Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPC50N04S55R8ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

40V, N-Ch, 0.9 mΩ max, Automotive MOSFET, PQNF, OptiMOS™-6

Summary of Features

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง