Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 229-1818
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB65,154.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB69,715.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB65.154 | THB65,154.00 |
| 2000 - 2000 | THB62.648 | THB62,648.00 |
| 3000 + | THB61.855 | THB61,855.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1818
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
IPB120P04P4L-03, -40V, P-Ch, 3.1 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-P2
The Infineon p channel logic level MOSFET has highest current capability and 100 percent avalanche tested. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
Summary of Features
•P-channel - Logic Level - Enhancement mode
•AEC qualified
•MSL1 up to 260°C peak reflow
•175°C operating temperature
•Green package (RoHS compliant)
•100% Avalanche tested
Benefits
•No charge pump required for high side drive.
•Simple interface drive circuit
•World's lowest RDSon at 40V
•Highest current capability
•Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
•Robust packages with superior quality and reliability
•Standard packages TO-252, TO-263, TO-220, TO-262
Potential Applications
•High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors)
•Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120P04P4L03ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB120P04P404ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80P03P4L04ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180P04P4L02ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263