Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET, 52 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R045M1XKSA1
- RS Stock No.:
- 222-4865
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZ120R045M1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB435.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB466.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 355 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB435.85 |
| 10 - 99 | THB424.96 |
| 100 - 249 | THB414.33 |
| 250 - 499 | THB403.98 |
| 500 + | THB393.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4865
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMZ120R045M1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 52A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | IMZ1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 52A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series IMZ1 | ||
Package Type TO-247 | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC™ 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages.
Best in class switching and conduction losses
Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V
0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive
Wide gate-source voltage range
Robust and low loss body diode rated for hard commutation
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R140M1HXKSA1