Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 11.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R310CFDAATMA1
- RS Stock No.:
- 222-4660
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R310CFDAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB487.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB521.87
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB97.546 | THB487.73 |
| 10 - 95 | THB95.108 | THB475.54 |
| 100 - 245 | THB92.73 | THB463.65 |
| 250 - 495 | THB90.41 | THB452.05 |
| 500 + | THB88.15 | THB440.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4660
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R310CFDAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 310mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 310mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².
AEC Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R080P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R110CFDAATMA1
