DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 16.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN DMT64M8LCG-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB309.13

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB330.77

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,620 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB30.913THB309.13
50 - 90THB30.14THB301.40
100 - 240THB29.386THB293.86
250 - 990THB28.651THB286.51
1000 +THB27.933THB279.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-2881
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT64M8LCG-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

16.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

VDFN

Series

DMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.16W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

3.3mm

Width

0.8 mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and load switch.

High Conversion Efficiency

Low RDS(ON)—Minimizes On State Losses

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

ESD Protected Gate

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง