DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 16.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN
- RS Stock No.:
- 222-2880
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT64M8LCG-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB46,822.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB50,100.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB23.411 | THB46,822.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-2880
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT64M8LCG-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | VDFN | |
| Series | DMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.16W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 0.8 mm | |
| Height | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type VDFN | ||
Series DMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.16W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Width 0.8 mm | ||
Height 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and load switch.
High Conversion Efficiency
Low RDS(ON)—Minimizes On State Losses
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
ESD Protected Gate
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN DMT64M8LCG-7
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VDFN-3030
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMT6015LFVW-7
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN